| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7082614 Nr producenta: ZXMN2A01E6TA EAN/GTIN: 5059043955131 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | N-Channel MOSFET, 12 V do 28 V, Diody Inc Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 3.1 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 6 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 225 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 0.7V | Maksymalna strata mocy: | 1.7 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -12 V, +12 V | Długość: | 3mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 7082614, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, ZXMN2A01E6TA |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |