| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7082526 Nr producenta: ZXMN6A11GTA EAN/GTIN: 5059043954905 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | N-Channel MOSFET, od 40 V do 90 V, Diody Inc Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 4.4 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | SOT-223 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 180 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3V | Maksymalna strata mocy: | 3.9 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 6.7mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 7082526, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, ZXMN6A11GTA |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |