|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-6710908 Nr producenta:
FQB4N80TM EAN/GTIN:
5059042848113 |
| |
|
| | |
| QFET® N-Channel MOSFET, do 5,9A, Fairchild Semiconductor. Nowe Fairchild Semiconductor, płaskie tranzystory MOSFET QFET®, oparte na Advanced, opatentowanej technologii, zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność operacyjną dla szerokiego zakresu zastosowań, w tym zasilaczy, przetworników PFC (Power Factor Correction), przetworników DC-DC, paneli wyświetlaczy plazmowych (PDP), stateczników oświetlenia i sterowania ruchem. Zapewniają one zmniejszenie strat w stanie włączonym dzięki obniżeniu rezystancji (RDS(on)) oraz zmniejszonym stratom przełączania poprzez obniżenie poziomu naładowania bramki (QG) i pojemności wyjściowej (COSS). Dzięki Advanced QFET® process Fairchild może zaoferować lepszy wskaźnik jakości (FOM) w porównaniu z konkurencyjnymi, planarnymi urządzeniami MOSFET. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 3.9 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | QFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 3,6 oma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 3V | Maksymalna strata mocy: | 3.13 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -30 V, +30 V | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 6710908, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FQB4N80TM |
| | |
| |