|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-6710598 Nr producenta:
FDS6675BZ EAN/GTIN:
5059042842135 |
| |
|
| | |
| PowerTrench® P-Channel MOSFET, firma Fairchild Semiconductor. Tranzystory PowerTTrench® MOSFET to zoptymalizowane przełączniki mocy, które zwiększają wydajność systemu i gęstość mocy. Łączą one mały ładunek (QG) bramki, mały ładunek odzyskiwania wstecznego (Qrr) i diodę miękkiego powrotu do tyłu, co przyczynia się do szybkiego przełączania synchronicznego prostownika w zasilaczach AC/DC. Najnowsze tranzystory PowerTrench® MOSFET tworzą ekranowaną strukturę, która zapewnia równowagę opłat. Dzięki wykorzystaniu tej Advanced Technology, FOM (rysunek połączenia) tych urządzeń jest znacznie niższy niż poprzednich generacji. Wydajność diod z miękkiej obudowy tranzystorów MOSFET PowerTTrench® pozwala wyeliminować obwody tabakowe lub zastąpić wyższy stopień napięcia MOSFET. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 11 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | SOIC | Seria: | PowerTrench | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 13 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 2.5 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -25 V, +25 V | Długość: | 5mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 6710598, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FDS6675BZ |
| | |
| |