| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-6365397 Nr producenta: SUD23N06-31-GE3 EAN/GTIN: 5059040786639 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | MOSFET, kanał N, od 60 V do 90 V, Vishay Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 23 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 31 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 3 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 6.73mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 6365397, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SUD23N0631GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |