| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-6012116 Nr producenta: 2SK3669(Q) EAN/GTIN: 5059041950152 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | MOSFET N-Channel, seria 2SK Toshiba Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 10 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | PW Mold | Seria: | 2SK | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 125 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 5V | Maksymalna strata mocy: | 20 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 6.5mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 6012116, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Toshiba, 2SK3669(Q) |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |