| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-6011961 Nr producenta: 2SK1062(F) EAN/GTIN: 5059041950138 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = 2SK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1 om Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 3.5V Maksymalna strata mocy = 200 mW Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie bramka-źródło = -20 V, +20 V Liczba elementów na układ = 1mm Minimalna temperatura robocza = -55 °Cmm Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 200 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | SOT-346 | Seria: | 2SK | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1 om | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.5V | Maksymalna strata mocy: | 200 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 2.9mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 6011961, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Toshiba, 2SK1062(F) |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |