|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-6011961 Nr producenta:
2SK1062(F) EAN/GTIN:
5059041950138 |
| |
|
| | |
| Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V
Seria = 2SK
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1 om
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 3.5V
Maksymalna strata mocy = 200 mW
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło = -20 V, +20 V
Liczba elementów na układ = 1mm
Minimalna temperatura robocza = -55 °Cmm Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 200 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | SOT-346 | Seria: | 2SK | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1 om | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.5V | Maksymalna strata mocy: | 200 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 2.9mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 6011961, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Toshiba, 2SK1062(F) |
| | |
| |