| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-5412177 Nr producenta: IRL2703PBF EAN/GTIN: 5059043898902 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | MOSFET o mocy 30 V, Infineon. Dyskretne tranzystory zasilające MOSFET HEXFET® firmy Infineon zawierają urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych. I wielkości obudowy, które mogą sprostać niemal każdemu wyzwaniu związanemu z projektem płyty głównej i projektem termicznym. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 24 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | TO-220AB | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 40 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 45 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -16 V, +16 V | Długość: | 10.54mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |