| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-5411124 Nr producenta: IRFBE30PBF EAN/GTIN: 5059040738256 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | MOSFET N-Channel, od 600 V do 1000 V, Vishay Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 4.1 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800 V | Typ opakowania: | TO-220AB | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 3 omy | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 125 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 10.41mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 5411124, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, IRFBE30PBF |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |