MOSFET N-kanałowy 4.1 A TO-220AB 800 V Pojedynczy 125 W 3 omy

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-5411124

Producent:
Vishay

Nr producenta:
IRFBE30PBF

EAN/GTIN:
5059040738256

Słowa kluczowe:

MOSFET N-Channel, od 600 V do 1000 V, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	4.1 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	800 V
Typ opakowania:	TO-220AB
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	3 omy
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	2V
Maksymalna strata mocy:	125 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	10.41mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150 °C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: 5411124, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, IRFBE30PBF

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 6,209*

Cena obowiązuje od 15 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 9,581*	PLN 11,785	za szt.
od 10 szt.	PLN 9,024*	PLN 11,10	za szt.
od 20 szt.	PLN 8,914*	PLN 10,964	za szt.
od 50 szt.	PLN 8,04*	PLN 9,889	za szt.
od 100 szt.	PLN 7,49*	PLN 9,213	za szt.
od 250 szt.	PLN 7,079*	PLN 8,707	za szt.
od 15000 szt.	PLN 6,209*	PLN 7,637	za szt.