| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-5410749 Nr producenta: IRFD9110PBF EAN/GTIN: 5059040895317 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | P-Channel MOSFET, od 100V do 400V, Vishay Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 700 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | HVMDIP | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 4 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1,2 oma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 1.3 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 5mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175 °C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 5410749, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, IRFD9110PBF |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |