MOSFET N-kanałowy 2.5 A HVMDIP 60 V Pojedynczy 1.3 W 100 miliomów

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-5410632

Producent:
Vishay

Nr producenta:
IRLD024PBF

EAN/GTIN:
5059040908109

Słowa kluczowe:

MOSFET, kanał N, od 60 V do 90 V, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	2.5 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60 V
Typ opakowania:	HVMDIP
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	4
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	100 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	1V
Maksymalna strata mocy:	1.3 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-10 V, +10 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175 °C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: 5410632, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, IRLD024PBF

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 4,751*

Cena obowiązuje od 15 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 8,642*	PLN 10,63	za szt.
od 10 szt.	PLN 7,126*	PLN 8,765	za szt.
od 20 szt.	PLN 7,006*	PLN 8,617	za szt.
od 50 szt.	PLN 6,295*	PLN 7,743	za szt.
od 100 szt.	PLN 5,826*	PLN 7,166	za szt.
od 250 szt.	PLN 5,461*	PLN 6,717	za szt.
od 15000 szt.	PLN 4,751*	PLN 5,844	za szt.