| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-5181536 Nr producenta: PBSS4160T,215 EAN/GTIN: 5059043421933 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystory niskiego napięcia nasycenia NPN. Szereg NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) niskonapięciowych tranzystorów przyłączeniowych NIPN Bipolar. Urządzenia te charakteryzują się bardzo niskim poborem ciepła przez kolektor i dużą pojemnością skokową prądu w niewielkich gabarytach. Zmniejszone straty tych tranzystorów powodują niższą emisję ciepła i ogólny wzrost wydajności w przypadku zastosowania przełączników i aplikacji cyfrowych. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ tranzystora: | NPN | Maksymalny prąd DC kolektora: | 900 mA | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60 V | Typ opakowania: | SOT-23 (TO-236AB) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Maksymalna strata mocy: | 1.25 W | Minimalne wzmocnienie prądu DC: | 250 | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie kolektor-baza: | 80 V | Maksymalne napięcie emiter-baza: | 5 V | Maksymalna częstotliwość robocza: | 220 MHz | Liczba styków: | 3 | Liczba elementów na układ: | 1 | Wymiary: | 1 x 3 x 1.4mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor npn, tranzystor smd, 5181536, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory bipolarne, Nexperia, PBSS4160T,215 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |