| |
|
| Nr artykułu: 3MTJS-485313 Nr producenta: PBSS4160DPN,115 EAN/GTIN: 5059043059204 |
| |
|
| | |
| Tranzystory niskonapięciowe Dual NPN/PNP, Nexperia. Szereg NXP BISS (Breakthrough In Small Signal), niskonapięciowych tranzystorów połączeniowych NIPN/PNP z bipolarnym sygnałem wejściowym. Urządzenia te charakteryzują się bardzo niskim poborem ciepła przez kolektor i dużą pojemnością skokową prądu w niewielkich gabarytach. Zmniejszone straty tych tranzystorów powodują niższą emisję ciepła i ogólny wzrost wydajności w przypadku zastosowania przełączników i aplikacji cyfrowych. Dalsze informacje: | | Typ tranzystora: | NPN/PNP | Maksymalny prąd DC kolektora: | 1 A | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60 V | Typ opakowania: | TSOP | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Maksymalna strata mocy: | 700 mW | Minimalne wzmocnienie prądu DC: | 250 | Konfiguracja tranzystora: | Izolacja | Maksymalne napięcie kolektor-baza: | 80 V | Maksymalne napięcie emiter-baza: | 5 V | Maksymalna częstotliwość robocza: | 220 MHz | Liczba styków: | 6 | Liczba elementów na układ: | 2 | Wymiary: | 1 x 3.1 x 1.7mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor npn, tranzystor smd, 485313, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory bipolarne, Nexperia, PBSS4160DPN,115 |
| | |
| |