| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-463325 Nr producenta: NTD3055L104T4G EAN/GTIN: 5059042517866 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor zasilający MOSFET, 60V, ON Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 12 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 104 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 48 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -15 V, +15 V | Długość: | 6.73mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175 °C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 463325, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTD3055L104T4G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |