Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

MOSFET N-kanałowy 66,6 A 1212-8S 80 V SMD


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2800003
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SISS5808DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
tranzystor mosfet
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 66,6 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V
Typ opakowania = 1212-8S
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 8
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Liczba elementów na układ = 1
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
66,6 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
80 V
Typ opakowania:
1212-8S
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
8
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Liczba elementów na układ:
1
Materiał tranzystora:
Krzem
Dalsze słowa kluczowe: 2800003, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SISS5808DNT1GE3
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 6,026*
  
Cena obowiązuje od 12 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 4 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 4 szt.
PLN 8,189*
PLN 10,072
za szt.
od 8 szt.
PLN 8,169*
PLN 10,048
za szt.
od 20 szt.
PLN 8,079*
PLN 9,937
za szt.
od 40 szt.
PLN 7,679*
PLN 9,445
za szt.
od 60 szt.
PLN 7,514*
PLN 9,242
za szt.
od 80 szt.
PLN 7,314*
PLN 8,996
za szt.
od 100 szt.
PLN 7,17*
PLN 8,819
za szt.
od 240 szt.
PLN 7,018*
PLN 8,632
za szt.
od 1000 szt.
PLN 6,876*
PLN 8,457
za szt.
od 12000 szt.
PLN 6,026*
PLN 7,412
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.