| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2799980 Nr producenta: SISH103DN-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 54 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 54 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | 1212-8 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2799980, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SISH103DNT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |