| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2799936 Nr producenta: SIJ4819DP-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 44,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 44,4 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80 V | Typ opakowania: | SO-8L | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 7 | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2799936, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIJ4819DPT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |