| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2799929 Nr producenta: SIHR080N60E-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 51 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = 8 x 8LR Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 51 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600 V | Typ opakowania: | 8 x 8LR | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2799929, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIHR080N60ET1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |