Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

MOSFET N-kanałowy 18 A 8 x 8 600 V SMD


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2799915
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SIHH155N60EF-T1GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
tranzystor mosfet
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 18 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V
Typ opakowania = 8 x 8
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 4
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Liczba elementów na układ = 1
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
18 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
600 V
Typ opakowania:
8 x 8
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
4
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Liczba elementów na układ:
1
Materiał tranzystora:
Krzem
Dalsze słowa kluczowe: 2799915, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIHH155N60EFT1GE3
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 18,385*
  
Cena obowiązuje od 30 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 3000 szt.
PLN 18,665*
PLN 22,958
za szt.
od 6000 szt.
PLN 18,605*
PLN 22,884
za szt.
od 15000 szt.
PLN 18,425*
PLN 22,663
za szt.
od 30000 szt.
PLN 18,385*
PLN 22,614
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.