Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

MOSFET N-kanałowy 19 A 8 x 8 600 V SMD


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2799914
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SIHH150N60E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
tranzystor mosfet
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 19 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V
Typ opakowania = 8 x 8
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 4
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Liczba elementów na układ = 1
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
19 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
600 V
Typ opakowania:
8 x 8
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
4
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Liczba elementów na układ:
1
Materiał tranzystora:
Krzem
Dalsze słowa kluczowe: 2799914, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIHH150N60ET1GE3
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 26,558*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 36,436*
PLN 44,816
za szt.
od 2 szt.
PLN 36,346*
PLN 44,706
za szt.
od 5 szt.
PLN 35,566*
PLN 43,746
za szt.
od 10 szt.
PLN 34,056*
PLN 41,889
za szt.
od 20 szt.
PLN 33,206*
PLN 40,843
za szt.
od 50 szt.
PLN 32,576*
PLN 40,068
za szt.
od 100 szt.
PLN 31,937*
PLN 39,283
za szt.
od 250 szt.
PLN 31,307*
PLN 38,508
za szt.
od 1000 szt.
PLN 30,668*
PLN 37,722
za szt.
od 3000 szt.
PLN 26,558*
PLN 32,666
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.