Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 650 A Uce 150 V Moduł 335 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2737364
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     F3L150R07W2E3B11BOMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 650 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 150 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Maksymalna strata mocy = 335 W
Typ opakowania = Moduł
Typ montażu = Montaż na panelu
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
650 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
150 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
335 W
Typ opakowania:
Moduł
Typ montażu:
Montaż na panelu
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt, 2737364, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, F3L150R07W2E3B11BOMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 4 824,3651*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 15 szt. (od PLN 321,62434* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 5 509,87005*
PLN 6 777,14016
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 5 488,44*
PLN 6 750,7812
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 5 395,42005*
PLN 6 636,36666
za opakowanie
od 7 opakowania
PLN 4 945,85505*
PLN 6 083,40171
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 4 895,715*
PLN 6 021,72945
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 4 824,3651*
PLN 5 933,96907
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.