Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 200 A Uce 650 V 2 ECOPACK kanał: NPN 714 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2735094
Producent:
     ST Microelectronics
Nr producenta:
     STGSB200M65DF2AG
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 714 W
Typ opakowania = ECOPACK
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Typ kanału = NPN
Liczba styków = 9
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
200 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
714 W
Liczba tranzystorów:
2
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
ECOPACK
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Typ kanału:
NPN
Liczba styków:
9
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor npn, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2735094, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, STMicroelectronics, STGSB200M65DF2AG
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 60,295*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 92,691*
PLN 114,01
za szt.
od 2 szt.
PLN 92,441*
PLN 113,702
za szt.
od 5 szt.
PLN 86,621*
PLN 106,544
za szt.
od 10 szt.
PLN 80,316*
PLN 98,789
za szt.
od 20 szt.
PLN 79,046*
PLN 97,227
za szt.
od 50 szt.
PLN 75,066*
PLN 92,331
za szt.
od 100 szt.
PLN 71,287*
PLN 87,683
za szt.
od 150 szt.
PLN 67,735*
PLN 83,314
za szt.
od 3000 szt.
PLN 60,295*
PLN 74,163
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.