| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2733029 Nr producenta: IRFS7537TRLPBF EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 173 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 173 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | D2PAK | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2733029, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRFS7537TRLPBF |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |