| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2688324 Nr producenta: SIJH5700E-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 174 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = PowerPAK 8 x 8 l Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Materiał tranzystora = Krzem Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 174 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150 V | Typ opakowania: | PowerPAK 8 x 8 l | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 4 | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Liczba elementów na układ: | 2 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2688324, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIJH5700ET1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |