| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2688308 Nr producenta: SIHK105N60EF-T1GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 24 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PowerPAK 10 x 12 Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Materiał tranzystora = Krzem Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 24 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | PowerPAK 10 x 12 | Typ montażu: | Montaż na płytce drukowanej | Liczba styków: | 8 | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Liczba elementów na układ: | 2 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2688308, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIHK105N60EFT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |