| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2626759 Nr producenta: IRFI530NPBF EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 12 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | TO-220 Full-Pak | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2626759, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRFI530NPBF |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |