Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

MOSFET N-kanałowy 120 A PG-TO263-3 60 V SMD


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2625859
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IPB029N06NF2SATMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
tranzystor mosfet
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V
Typ opakowania = PG-TO263-3
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 3
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Liczba elementów na układ = 2
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
120 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
60 V
Typ opakowania:
PG-TO263-3
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
3
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Liczba elementów na układ:
2
Materiał tranzystora:
SiC
Dalsze słowa kluczowe: 2625859, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPB029N06NF2SATMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 5,066*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 5 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 5 szt.
PLN 8,772*
PLN 10,79
za szt.
od 10 szt.
PLN 8,732*
PLN 10,74
za szt.
od 25 szt.
PLN 8,562*
PLN 10,531
za szt.
od 50 szt.
PLN 7,377*
PLN 9,074
za szt.
od 100 szt.
PLN 7,227*
PLN 8,889
za szt.
od 125 szt.
PLN 6,762*
PLN 8,317
za szt.
od 250 szt.
PLN 6,28*
PLN 7,724
za szt.
od 500 szt.
PLN 5,806*
PLN 7,141
za szt.
od 15000 szt.
PLN 5,066*
PLN 6,231
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.