Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 2 AG-34MM 285 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2608887
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FF50R12RT4HOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Liczba tranzystorów = 2
Konfiguracja = Podwójna
Typ montażu = Montaż w obudowie
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
285 W
Liczba tranzystorów:
2
Konfiguracja:
Podwójna
Typ opakowania:
AG-34MM
Typ montażu:
Montaż w obudowie
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, 2608887, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FF50R12RT4HOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 304,713*
  
Cena obowiązuje od 5 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 10 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 10 szt.
PLN 333,509*
PLN 410,216
za szt.
od 20 szt.
PLN 332,799*
PLN 409,343
za szt.
od 50 szt.
PLN 319,363*
PLN 392,816
za szt.
od 100 szt.
PLN 315,093*
PLN 387,564
za szt.
od 5000 szt.
PLN 304,713*
PLN 374,797
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.