| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2605941 Nr producenta: IRF7779L2TRPBF EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 67 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 15 Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 67 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150 V | Typ opakowania: | Duża puszka DirectFET2 | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 15 | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2605941, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRF7779L2TRPBF |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |