Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

MOSFET N-kanałowy 35 A Puszka średnia DirectFET 150 V SMD


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2605939
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IRF6643TRPBF
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
tranzystor mosfet
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V
Seria = HEXFET
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 7
Liczba elementów na układ = 1
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
35 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
150 V
Typ opakowania:
Puszka średnia DirectFET
Seria:
HEXFET
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
7
Liczba elementów na układ:
1
Dalsze słowa kluczowe: 2605939, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRF6643TRPBF
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 4,666*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 2 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 2 szt.
PLN 9,097*
PLN 11,189
za szt.
od 10 szt.
PLN 8,957*
PLN 11,017
za szt.
od 20 szt.
PLN 8,003*
PLN 9,844
za szt.
od 40 szt.
PLN 7,663*
PLN 9,425
za szt.
od 50 szt.
PLN 7,164*
PLN 8,812
za szt.
od 100 szt.
PLN 6,451*
PLN 7,935
za szt.
od 200 szt.
PLN 5,316*
PLN 6,539
za szt.
od 15000 szt.
PLN 4,666*
PLN 5,739
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.