| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2591548 Nr producenta: IPB100N04S4H2ATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO263-3-2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 100 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | PG-TO263-3-2 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 2591548, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPB100N04S4H2ATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |