Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-311 350 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2580898
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FS75R12KE3BPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 350 W
Typ opakowania = AG-ECONO2B-311
Dalsze informacje:
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
350 W
Typ opakowania:
AG-ECONO2B-311
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2580898, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FS75R12KE3BPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 571,3248*
  
Cena obowiązuje od 7 500 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 15 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 15 szt.
PLN 593,6748*
PLN 730,22
za szt.
od 30 szt.
PLN 591,4548*
PLN 727,4894
za szt.
od 75 szt.
PLN 580,7948*
PLN 714,3776
za szt.
od 150 szt.
PLN 574,7248*
PLN 706,9115
za szt.
od 7500 szt.
PLN 571,3248*
PLN 702,7295
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.