| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2579375 Nr producenta: IRFH5406TRPBF EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PQFN 5 mm x 6 mm Typ montażu = Otwór przezierny Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 40 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | PQFN 5 mm x 6 mm | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Otwór przezierny |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2579375, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRFH5406TRPBF |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |