| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2579290 Nr producenta: IRF5802TRPBF EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 900 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = TSOP-6 Typ montażu = Otwór przezierny Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 900 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150 V | Typ opakowania: | TSOP-6 | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Otwór przezierny |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2579290, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRF5802TRPBF |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |