| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2575867 Nr producenta: IRFR4615TRLPBF EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = D-PAK Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 33 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150 V | Typ opakowania: | D-PAK | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Montaż na płytce drukowanej |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2575867, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRFR4615TRLPBF |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |