Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247 416 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2533509
Producent:
     Bourns
Nr producenta:
     BIDW50N65T
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 416 W
Typ opakowania = TO-247
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
416 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Dioda pojedyncza
Typ opakowania:
TO-247
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, 2533509, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Bourns, BIDW50N65T
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 8,587*
  
Cena obowiązuje od 10 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 2 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 2 szt.
PLN 10,887*
PLN 13,391
za szt.
od 10 szt.
PLN 10,767*
PLN 13,243
za szt.
od 20 szt.
PLN 10,617*
PLN 13,059
za szt.
od 40 szt.
PLN 10,067*
PLN 12,382
za szt.
od 100 szt.
PLN 9,917*
PLN 12,198
za szt.
od 10000 szt.
PLN 8,587*
PLN 10,562
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.