| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2520246 Nr producenta: SI4155DY-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 8,2 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | SO-8 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2520246, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI4155DYT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |