Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 225 A Uce 1700 V 2 20 mW


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2500219
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FF225R17ME7B11BPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 225 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
225 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1700 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Liczba tranzystorów:
2
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2500219, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FF225R17ME7B11BPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 5 455,03*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 10 szt. (od PLN 545,503* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 5 684,59*
PLN 6 992,0457
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 5 665,53*
PLN 6 968,6019
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 5 574,77*
PLN 6 856,9671
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 5 513,97*
PLN 6 782,1831
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 5 455,03*
PLN 6 709,6869
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.