Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł tranzystorowy IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 2


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2486697
Producent:
     Semikron
Nr producenta:
     SKM150GB12F4G
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±15.0V
Liczba tranzystorów = 2
Konfiguracja = Półmostek
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
150 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±15.0V
Liczba tranzystorów:
2
Konfiguracja:
Półmostek
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2486697, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Semikron, SKM150GB12F4G
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 8 088,77208*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 12 szt. (od PLN 674,06434* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 10 383,59808*
PLN 12 771,82564
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 9 271,23408*
PLN 11 403,61792
za opakowanie
od 3 opakowania
PLN 8 344,19208*
PLN 10 263,35626
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 8 236,58208*
PLN 10 130,99596
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 8 143,70208*
PLN 10 016,75356
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 8 088,77208*
PLN 9 949,18966
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.