Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł IGBT Ic 40 A, 90 A Uce 650 V 4 20 mW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2481198
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     DF300R07W2H3B77BPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A, 90 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
40 A, 90 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Liczba tranzystorów:
4
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2481198, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, DF300R07W2H3B77BPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 249,697*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 349,658*
PLN 430,079
za szt.
od 2 szt.
PLN 330,254*
PLN 406,212
za szt.
od 5 szt.
PLN 311,291*
PLN 382,888
za szt.
od 10 szt.
PLN 285,90*
PLN 351,657
za szt.
od 20 szt.
PLN 272,727*
PLN 335,454
za szt.
od 500 szt.
PLN 249,697*
PLN 307,127
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.