Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 303 A Uce 1000 V 4 Q2PACK (bez zawartości Pb/bez zawartości Halidu) 592 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2456973
Producent:
     onsemi
Nr producenta:
     NXH350N100H4Q2F2P1G
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 303 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1000 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 592 W
Typ opakowania = Q2PACK (bez zawartości Pb/bez zawartości Halidu)
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
303 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1000 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
592 W
Liczba tranzystorów:
4
Typ opakowania:
Q2PACK (bez zawartości Pb/bez zawartości Halidu)
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2456973, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, NXH350N100H4Q2F2P1G
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 729,888*
  
Cena obowiązuje od 360 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 36 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 36 szt.
PLN 741,238*
PLN 911,723
za szt.
od 72 szt.
PLN 738,558*
PLN 908,426
za szt.
od 180 szt.
PLN 731,828*
PLN 900,148
za szt.
od 360 szt.
PLN 729,888*
PLN 897,762
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.