Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 280 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445834
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FP50R12KE3BOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 280 W
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
280 W
Liczba tranzystorów:
7
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2445834, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP50R12KE3BOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 6 844,99*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 10 szt. (od PLN 684,499* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 7 095,71*
PLN 8 727,7233
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 7 073,16*
PLN 8 699,9868
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 6 958,16*
PLN 8 558,5368
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 6 887,29*
PLN 8 471,3667
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 6 844,99*
PLN 8 419,3377
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.