Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 900 A Uce 1200 V 2 5,1 kW


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445829
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FF900R12IP4BOSA2
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 900 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 5,1 kW
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
900 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
5,1 kW
Liczba tranzystorów:
2
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2445829, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FF900R12IP4BOSA2
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 6 819,693*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 3 szt. (od PLN 2 273,231* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 7 083,963*
PLN 8 713,27449
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 7 062,17301*
PLN 8 686,4728
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 6 951,02301*
PLN 8 549,7583
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 6 882,53301*
PLN 8 465,5156
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 6 819,693*
PLN 8 388,22239
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.