Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 1 790 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445817
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FD150R12RT4HOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 790 W
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
150 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
790 W
Liczba tranzystorów:
1
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt, 2445817, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FD150R12RT4HOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 3 794,61*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 10 szt. (od PLN 379,461* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 4 260,34*
PLN 5 240,2182
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 3 963,24*
PLN 4 874,7852
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 3 909,79*
PLN 4 809,0417
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 3 860,01*
PLN 4 747,8123
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 3 794,61*
PLN 4 667,3703
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.