Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 39 A Uce 1200 V 7 175 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445391
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FP25R12W2T4B11BOMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 39 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Maksymalna strata mocy = 175 W
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
39 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
175 W
Liczba tranzystorów:
7
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2445391, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP25R12W2T4B11BOMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 229,982*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 302,949*
PLN 372,627
za szt.
od 2 szt.
PLN 295,165*
PLN 363,053
za szt.
od 5 szt.
PLN 261,092*
PLN 321,143
za szt.
od 10 szt.
PLN 256,862*
PLN 315,94
za szt.
od 500 szt.
PLN 229,982*
PLN 282,878
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.