Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 39 A Uce 1200 V 7 175 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445389
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FP25R12W2T4B11BOMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 39 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Maksymalna strata mocy = 175 W
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
39 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
175 W
Liczba tranzystorów:
7
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2445389, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP25R12W2T4B11BOMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 217,59*
  
Cena obowiązuje od 7 500 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 15 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 15 szt.
PLN 241,09*
PLN 296,54
za szt.
od 30 szt.
PLN 225,70*
PLN 277,61
za szt.
od 75 szt.
PLN 223,00*
PLN 274,29
za szt.
od 150 szt.
PLN 220,55*
PLN 271,28
za szt.
od 7500 szt.
PLN 217,59*
PLN 267,64
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.