Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 28 A Uce 1200 V 7 130 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445385
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FP15R12W1T4BOMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 28 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Maksymalna strata mocy = 130 W
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
28 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
130 W
Liczba tranzystorów:
7
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2445385, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP15R12W1T4BOMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 3 844,86408*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 24 szt. (od PLN 160,20267* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 4 285,19616*
PLN 5 270,79128
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 4 041,93408*
PLN 4 971,57892
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 3 989,17416*
PLN 4 906,68422
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 3 933,21408*
PLN 4 837,85332
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 3 844,86408*
PLN 4 729,18282
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.