| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2441596 Nr producenta: IPD80R1K2P7ATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 4,5 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800 V | Typ opakowania: | TO-252 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2441596, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPD80R1K2P7ATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |