Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 71 A Uce 650 V 1 TO-247GE 202 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2412311
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGWS80TS65GC13
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 71 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Maksymalna strata mocy = 202 W
Typ opakowania = TO-247GE
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
71 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
202 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedynczy kolektor, pojedynczy emiter, pojedyncza bramka
Typ opakowania:
TO-247GE
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2412311, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGWS80TS65GC13
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 7 169,814*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 600 szt. (od PLN 11,94969* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 7 498,272*
PLN 9 222,87456
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 7 456,602*
PLN 9 171,62046
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 7 312,89*
PLN 8 994,8547
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 7 228,23*
PLN 8 890,7229
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 7 169,814*
PLN 8 818,87122
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.