Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 85 A Uce 650 V 1 TO-247GE 277 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2412284
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGTH00TS65DGC13
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 85 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Maksymalna strata mocy = 277 W
Typ opakowania = TO-247GE
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
85 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
277 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedynczy kolektor, pojedynczy emiter, pojedyncza bramka
Typ opakowania:
TO-247GE
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, 2412284, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGTH00TS65DGC13
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 16,805*
  
Cena obowiązuje od 600 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 600 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.